Nowoczesne przyrządy półprzewodnikowe mocy – modelowanie i symulacja - Marek Kamiński, Marciniak Paweł, Kotas Rafał

Nowoczesne przyrządy półprzewodnikowe mocy – modelowanie i symulacja za 46.55 zł

Cena: 46.55 zł
Sklep: lideria.pl
Kup teraz Nowoczesne przyrządy półprzewodnikowe mocy – modelowanie i symulacja za 46.55 zł w księgarni lideria.pl
Wydawca: Publishing Self
Kategoria: Ebooki i Audiobooki / Nauki ścisłe, przyrodnicze i technika
ISBN: 7110bbaf0933cd0ebb890f425127a661
Waga: b/d kg
Rok wydania: 2020

Książka opisuje metodykę modelowania i symulowania przyrządów półprzewodnikowych mocy. W książce znajdują się cztery rozdziały. Pierwszy rozdział dotyczy wytrzymałości napięciowej przyrządów półprzewodnikowych mocy. W drugim rozdziale zostalo przedstawione zjawisko zatrzasku. Trzeci rozdział poświęcony został modelom rozproszonym przyrządów mocy. W czwartym rozdziale zostało omówione przełączanie przyrządów półprzewodnikowych mocy ze szczególnym uwzględnieniem diody i tranzystora IGBT.

Spis treści

Rozdział 1. Wytrzymałość napięciowa przyrządów mocy (dr inż. Marek Kamiński) 5
1.1. Wzory 5
1.2. Jak rozwiązać zadanie? 8
1.2.1. Wytrzymałość napięciowa i szerokość bazy. 8
1.2.2. Wytrzymałość napięciowa, gdy szeroka baza może ulec przebiciu skrośnemu (PT) 10
1.3. Jak narysować wykres? 11
1.3.1. Podstawy 11
1.3.2. Przebicie lawinowe i skrośne dla przyrządu NPT 13
1.3.3. Przebicie lawinowe i skrośne dla przyrządu PT 15
1.3.4. Kilka wykresów na jednym rysunku. 16
1.4. Tranzystor IGBT 17
1.5. Prosty algorytm 18
1.6. Pytania 18
1.7. Instrukcja obsługi programu „przebicia” 19
Rozdział 2. Zjawisko zatrzasku (mgr inż. Rafał Kotas) 22
2.1. Podstawy fizyczne 22
2.1.1. Wychodzenia z zatrzasku 25
2.2. Tyrystor 27
2.2.1. Model bezinercyjny 27
2.2.2. Model dwu-tranzystorowy 28
2.3. Triak (tyrystor dwukierunkowy) 29
2.4. Zatrzask tranzystora IGBT 30
2.5. Tyrystor MCT i GTO 31
2.6. Pytania 33
Rozdział 3. Modele rozproszone przyrządów mocy (dr inż. Marek Kamiński) 34
3.1. Czym jest model o stałych rozłożonych? 34
3.2. Model generacji ciepła i elektrotermiczny 39
3.3. Instrukcja do programu MOPS 40
3.4. Pytania 40
Rozdział 4. Przełączanie przyrządów półprzewodnikowych mocy (mgr inż. Paweł Marciniak) 41
4.1. Budowa diody mocy 41
4.2. Przełączenia diody mocy 42
4.2.1. Włączanie diody 43
4.2.2. Wyłączanie diody 43
4.3. Straty mocy 45
4.4. Dioda Schottky’ego 46
4.5. Pytania 47
4.6. Tranzystor IGBT - komutacja 47
4.7. Tranzystor IGBT - straty mocy 50
4.8. Tranzystor IGBT - serie tranzystora 51
4.9. Tranzystor IGBT - pytania 52